在電熔磚的升溫生產(chǎn)中，在初始階段松散的顆粒聚集，電熔磚的孔隙率降低，然后晶粒長大。 晶粒長大是晶界運(yùn)動的必然結(jié)果。 從能量的角度來看，在電熔磚的加熱階段，晶粒生長的驅(qū)動力應(yīng)該是減少儲存在晶粒界面的多余自由能。  

       在電熔磚晶粒長大的過程中，某些晶粒尺寸的增加通常伴隨著其他晶粒尺寸的減小或消失。 通常，這是晶界面積的減少和系統(tǒng)平均尺寸的增加。 從微觀結(jié)構(gòu)來看，在電熔磚熔體形成過程中，晶界應(yīng)形成120度角。 只有六面粒子的邊界可以由直線組成并且處于平衡狀態(tài)。 從電熔磚晶粒的角度來看，當(dāng)邊數(shù)少于6時，邊界向外凸出；當(dāng)邊數(shù)多于6時，邊界向內(nèi)凹進(jìn)。 由于凹面的界面能大于凸面的界面能，因此，根據(jù)能量的狀態(tài)的發(fā)展趨勢，電熔磚的晶體向較小的粒子中心移動，而該運(yùn)動 晶粒界面起著縮短晶界的作用。  

 電熔磚共有三個明顯的晶粒生長過程：

       1. 次重結(jié)晶。通過初始重結(jié)晶，新的電熔磚無應(yīng)變形核和晶粒生長會出現(xiàn)在經(jīng)歷塑性變形的基質(zhì)中。  

       2.晶粒長大。通過電熔磚晶粒長大過程，無應(yīng)變或接近無應(yīng)變材料的平均晶粒尺寸在熱處理過程中持續(xù)增加，而不會改變晶粒尺寸。  

       3.二次重結(jié)晶。通過二次重結(jié)晶過程，一些大晶粒長大，并且這種晶粒長大是通過消耗基本無應(yīng)變的細(xì)晶粒基體來實(shí)現(xiàn)的。